ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.5 A 45 V Forbedring, 8 Ben, SOP, SP8K22 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4367
- Producentens varenummer:
- SP8K22HZGTB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 81,83
(ekskl. moms)
Kr. 102,29
(inkl. moms)
Tilføj 35 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 7.485 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,366 | Kr. 81,83 |
| 50 - 95 | Kr. 14,302 | Kr. 71,51 |
| 100 - 245 | Kr. 12,672 | Kr. 63,36 |
| 250 - 995 | Kr. 11,43 | Kr. 57,15 |
| 1000 + | Kr. 11,206 | Kr. 56,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4367
- Producentens varenummer:
- SP8K22HZGTB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Emballagetype | SOP | |
| Serie | SP8K22 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 46mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6 mm | |
| Længde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Emballagetype SOP | ||
Serie SP8K22 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 46mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6 mm | ||
Længde 5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM SP8K22HZG n MOSFET i bilkvalitet, som EC-Q101 er kvalificeret. To NCH 45V MOSFET'er er inkluderet i SOP8-pakken. Indbygget ESD-beskyttelsesdiode. Velegnet til switching-anvendelser.
Lav modstand ved tændt
Lille hus til overflademontering (SOP8)
Blyfri forgyldning ; I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Sn100 % belægning
AEC-Q101-kvalificeret
Relaterede links
- ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt 4.5 A 45 V Forbedring SOP, SP8K22 AEC-Q101
- ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 45 V Forbedring SOP, SP8K24 AEC-Q101
- ROHM 2 Type P MOSFET 8 Ben SH8MA2
- ROHM 2 Type N MOSFET 8 Ben SP8M21 AEC-Q101
- ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 80 V Forbedring SOP, SP8K41 AEC-Q101
- ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt 5 A 60 V Forbedring SOP, SP8K33 AEC-Q101
- ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt 3 A 100 V Forbedring SOP, SP8K52 AEC-Q101
- ROHM 1 Type N MOSFET 8 Ben SP8M3 AEC-Q101