Infineon N-Kanal, MOSFET, 74 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

RS-varenummer:: 222-4619
Producentens varenummer:: BSC072N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 74 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 26.660,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.325,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 5,332	Kr. 26.660,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 222-4619
Producentens varenummer:: BSC072N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	74A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS-TM5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	7.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	24nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.1mm
	Højde	1.2mm
	Længde	5.35mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS-TM5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 7.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.1mm
	Højde 1.2mm
	Længde 5.35mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC072N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5 seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 74 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC072N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-N-kanal-halvleder, der er designet til kobling og strømkonvertering i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og accepterer gate-spændinger op til 20 V, hvilket gør den velegnet til anvendelser, der kræver robust gate-drev og betydelig kontinuerlig afløbsstrøm, mens den monteres som en kompakt overfladenhed.

Egenskaber og fordele:

• Mærkeværdi for afløb på 80 V muliggør skifteanvendelser med højere spænding
• 74 A kontinuerlig strøm understøtter kraftige effekttrin
• 7.2 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 69 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 24 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd
• 8-benet TDSON-overfladepakke giver kompakt printkort til fast ejendom besparelser

Anvendelser

• Velegnet til stærkt strømførende motordrevstrin
• Ideel til DC-DC-konverterudgangstrin
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i serverrack
• Kan bruges til batteristyring og opladningssystemer
• Anvendes til synkron ensretning i strømforsyninger

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?

Den er mærket til drift fra -55 °C op til 150 °C.

Hvilket portdrevspændingsområde er tilladt til omskiftningskontrol?

Porten kan drives op til 20 V for at skifte enheden.

Hvordan understøtter pakken automatiseret montering?

Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvad er den typiske koblingsopladning, der skal overvejes i gate-drivere?

Designere bør tage hensyn til en typisk samlet gate-ladning på 24 nC, når de vælger en driver.