Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 906-4347
- Producentens varenummer:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 118,11
(ekskl. moms)
Kr. 147,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 11,811 | Kr. 118,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4347
- Producentens varenummer:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 60 til 80 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 23 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 82 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 274 A 80 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS