Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101 IAUC100N10S5N040ATMA1
- RS-varenummer:
- 222-4636
- Producentens varenummer:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 112,79
(ekskl. moms)
Kr. 140,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 22,558 | Kr. 112,79 |
| 25 - 45 | Kr. 20,30 | Kr. 101,50 |
| 50 - 120 | Kr. 18,954 | Kr. 94,77 |
| 125 - 245 | Kr. 17,592 | Kr. 87,96 |
| 250 + | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4636
- Producentens varenummer:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
MSL1 op til 260 °C topreflow
Muligt til automatisk optisk inspektion (AOI)
100 % avalanche-testet
AEC-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IAUC100N10S5N040ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC034N03LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 71 A 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0805NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S52R8ATMA1
- Infineon N-Kanal 194 A. 100 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC027N10NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC0502NSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S51R9ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC100N08S5N043ATMA1
