Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4693
- Producentens varenummer:
- IPP030N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 68,29
(ekskl. moms)
Kr. 85,362
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 34,145 | Kr. 68,29 |
| 10 - 18 | Kr. 30,03 | Kr. 60,06 |
| 20 - 48 | Kr. 28,31 | Kr. 56,62 |
| 50 - 98 | Kr. 26,29 | Kr. 52,58 |
| 100 + | Kr. 24,20 | Kr. 48,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4693
- Producentens varenummer:
- IPP030N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 112nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 112nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 41 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 14 A 900 V Forbedring TO-220, CoolMOS