Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 109 A 600 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4727P
- Producentens varenummer:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 258,20
(ekskl. moms)
Kr. 322,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 104 enhed(er) afsendes fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 129,10 |
| 5 - 9 | Kr. 123,57 |
| 10 - 24 | Kr. 118,33 |
| 25 + | Kr. 110,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4727P
- Producentens varenummer:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 109A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 446W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 240nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 109A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 446W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 240nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Bredde 5.21mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon designet af Cool MOS™ C7 er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med førsteklasses innovation. 600V C7 er den første teknologi nogensinde med RDS(on) * A under 1 Ohm * mm.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23