Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 700 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4729
- Producentens varenummer:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 133,22
(ekskl. moms)
Kr. 166,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 318 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 66,61 | Kr. 133,22 |
| 10 - 18 | Kr. 59,28 | Kr. 118,56 |
| 20 - 48 | Kr. 55,275 | Kr. 110,55 |
| 50 - 98 | Kr. 51,875 | Kr. 103,75 |
| 100 + | Kr. 48,02 | Kr. 96,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4729
- Producentens varenummer:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 171W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 171W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon designet af Cool MOS™ C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med førsteklasses innovation. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Forbedret MOSFET dv/dt robusthed
Bedre effektivitet takket være den bedste FOM RDS(on) * Eoss og RDS(on) * QG i klassen
Klassens bedste RDS(on)/pakke
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 33 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 63.3 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 75 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 83 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 145 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7