Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 700 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS Nej IPZ65R065C7XKSA1
- RS-varenummer:
- 222-4729
- Producentens varenummer:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 97,23
(ekskl. moms)
Kr. 121,538
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 318 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 48,615 | Kr. 97,23 |
| 10 - 18 | Kr. 43,27 | Kr. 86,54 |
| 20 - 48 | Kr. 40,355 | Kr. 80,71 |
| 50 - 98 | Kr. 37,925 | Kr. 75,85 |
| 100 + | Kr. 35,045 | Kr. 70,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4729
- Producentens varenummer:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 171W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 171W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon designet af Cool MOS™ C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med førsteklasses innovation. Produktporteføljen giver alle fordele ved hurtigt skiftende superjunction MOSFET'er, der giver bedre effektivitet, reduceret gate-opladning, nem implementering og enestående pålidelighed.
Forbedret MOSFET dv/dt robusthed
Bedre effektivitet takket være den bedste FOM RDS(on) * Eoss og RDS(on) * QG i klassen
Klassens bedste RDS(on)/pakke
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 33 A 700 V TO-247-4, CoolMOS™ IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 106 A 700 V TO-247-4, CoolMOS™ IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 46 A 700 V TO-247-4, CoolMOS™ C7 IPZ65R045C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 19 A 700 V TO-247, CoolMOS™ IPW65R125CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 700 V TO-247, CoolMOS™ IPW65R155CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 22 A 700 V TO-247, CoolMOS™ IPW65R110CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 63 3 ben CoolMOS™ IPW65R048CFDAFKSA1
- Infineon N-Kanal 25 A 700 V TO-247, CoolMOS™ IPW65R090CFD7XKSA1
