Infineon N-Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4730
- Producentens varenummer:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (30 enheder, i en tube med 30)*
Kr. 1.441,62
(ekskl. moms)
Kr. 1.802,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 48,054 | Kr. 1.441,62 |
| 60 - 120 | Kr. 45,653 | Kr. 1.369,59 |
| 150 + | Kr. 43,329 | Kr. 1.299,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4730
- Producentens varenummer:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 37mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 121nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 255W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 37mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 121nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 255W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon designet af Cool MOS™ 7. Generation platform er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies.
Fremragende ESD robusthed >2 kV (HBM) for alle produkter
Betydelig reduktion af koblings- og ledningstab fremragende ESD robusthed >2 kV (HBM) for alle produkter
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 76 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 76 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 109 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS S5
- Infineon N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7