Infineon N-Kanal, MOSFET, 4,7 A 1200 V, 3 ben, TO-247, IMW1 IMW120R350M1HXKSA1

Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i TO247-3-pakken bygger på en topmoderne rende halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle silicium-baserede switche som IGBT'er og MOSFET'er giver SiC MOSFET en række fordele. Disse omfatter de laveste gateopladnings- og enhedskapacitet, der ses i 1200 V kontakter, ingen omvendte genopretningstab for den interne kommutationssikre diode, temperaturuafhængige lave skiftetab og tærskelfri On-state karakteristik.

Klassens bedste skift- og ledningstab
Benchmark høj tærskelspænding, Vth > 4 V.
0 V OFF gate-spænding for let og enkelt gate-drev
Bredt område for gate-source-spænding
Robust og diode med lavt tab, der er klassificeret til hård kommutation
Temperaturuafhængige slukningstab