Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, IMZ1 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 904,77

(ekskl. moms)

Kr. 1.130,97

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 570 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 30,159Kr. 904,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4866
Producentens varenummer:
IMZ120R090M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

IMZ1

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET i TO247-4-pakken bygger på en topmoderne rende halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle silicium-baserede switche som IGBT'er og MOSFET'er giver SiC MOSFET en række fordele.

Klassens bedste skift- og ledningstab

Benchmark høj tærskelspænding, Vth > 4 V.

0 V OFF gate-spænding for let og enkelt gate-drev

Bredt område for gate-source-spænding

Robust og diode med lavt tab, der er klassificeret til hård kommutation

Relaterede links