Infineon N-Kanal, MOSFET, 4.7 A 1.2 kV Forbedring, 4 Ben, TO-247, IMZ1
- RS-varenummer:
- 222-4872
- Producentens varenummer:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 950,55
(ekskl. moms)
Kr. 1.188,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 31,685 | Kr. 950,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4872
- Producentens varenummer:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | IMZ1 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie IMZ1 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i TO247-4-pakken bygger på en topmoderne rende halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle silicium-baserede switche som IGBT'er og MOSFET'er giver SiC MOSFET en række fordele. Disse omfatter de laveste gateopladnings- og enhedskapacitet, der ses i 1200 V kontakter, ingen omvendte genopretningstab for den interne kommutationssikre diode, temperaturuafhængige lave skiftetab og tærskelfri On-state karakteristik.
Klassens bedste skift- og ledningstab
Benchmark høj tærskelspænding, Vth > 4 V.
0 V OFF gate-spænding for let og enkelt gate-drev
Bredt område for gate-source-spænding
Robust og diode med lavt tab, der er klassificeret til hård kommutation
Temperaturuafhængige slukningstab
Driver-kildestift for optimeret skifteevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4.7 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 19 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 56 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 26 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 13 A 1200 V Forbedring TO-247, IMZ1
- Infineon N-Kanal 4.7 A 1200 V Forbedring TO-247, IMW1
- Infineon N-Kanal 13 A 1200 V Forbedring TO-247, IMW1