Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-varenummer:
- 222-4884
- Producentens varenummer:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 45 enheder)*
Kr. 484,695
(ekskl. moms)
Kr. 605,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.170 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 45 - 45 | Kr. 10,771 | Kr. 484,70 |
| 90 - 180 | Kr. 10,233 | Kr. 460,49 |
| 225 - 405 | Kr. 9,80 | Kr. 441,00 |
| 450 - 855 | Kr. 9,372 | Kr. 421,74 |
| 900 + | Kr. 8,723 | Kr. 392,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4884
- Producentens varenummer:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPA60R | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPA60R | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand R G
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet