Infineon N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- RS-varenummer:
- 222-4916
- Producentens varenummer:
- IPL60R185P7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 107,79
(ekskl. moms)
Kr. 134,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 21,558 | Kr. 107,79 |
| 25 - 45 | Kr. 17,248 | Kr. 86,24 |
| 50 - 120 | Kr. 15,962 | Kr. 79,81 |
| 125 - 245 | Kr. 14,87 | Kr. 74,35 |
| 250 + | Kr. 13,808 | Kr. 69,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4916
- Producentens varenummer:
- IPL60R185P7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPL60R | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 185mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPL60R | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 185mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand R G
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 17 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 33 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 12 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 29 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R
- Infineon N-Kanal 3 A 600 V Forbedring ThinPAK 5x6
- Infineon N-Kanal 40 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R