Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 53,86

(ekskl. moms)

Kr. 67,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 26,93Kr. 53,86
20 - 48Kr. 23,935Kr. 47,87
50 - 98Kr. 22,365Kr. 44,73
100 - 198Kr. 20,795Kr. 41,59
200 +Kr. 19,335Kr. 38,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4912
Producentens varenummer:
IPL60R075CFD7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

ThinPAK

Serie

IPL60R

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

189W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

67nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

8.1mm

Bredde

8.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 er Infineons nyeste højspændings superjunction MOSFET-teknologi med integreret fast body diode, der fuldender CoolMOS™ 7 serien. CoolMOS™ CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.

Ultra-hurtig husdiode

Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)

Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt

Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss

Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer

Relaterede links