Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- RS-varenummer:
- 222-4912
- Producentens varenummer:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 98,74
(ekskl. moms)
Kr. 123,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.698 enhed(er) afsendes fra 22. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 49,37 | Kr. 98,74 |
| 20 - 48 | Kr. 43,835 | Kr. 87,67 |
| 50 - 98 | Kr. 40,99 | Kr. 81,98 |
| 100 - 198 | Kr. 38,11 | Kr. 76,22 |
| 200 + | Kr. 35,455 | Kr. 70,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4912
- Producentens varenummer:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 189W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 189W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 er Infineons nyeste højspændings superjunction MOSFET-teknologi med integreret fast body diode, der fuldender CoolMOS™ 7 serien. CoolMOS™ CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.
Ultra-hurtig husdiode
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)
Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt
Laveste FOM RDS(on) x QG og Eoss
Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 33 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 17 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 28 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 3 A 600 V Forbedring ThinPAK 5x6
- Infineon Type N-Kanal 27 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R