Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK 5x6
- RS-varenummer:
- 217-2540
- Producentens varenummer:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 217-2540
- Producentens varenummer:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | ThinPAK 5x6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.8mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype ThinPAK 5x6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.8mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon nye CoolMOS™ ThinPAK 5x6 er et blyfri SMD-hus, der er specielt designet til højspændings MOSFET'er. Denne nye pakke har et meget lille bundareal på 5x6 mm 2 og en meget lav profil med kun 1 mm højde. Denne betydeligt mindre pakkestørrelse kombineret med dens benchmark lave parasitære induktanser kan bruges som en ny og effektiv måde at reducere systemløsningens størrelse i effekttæthedsdrevne konstruktioner. Huset ThinPAK 5x6 er kendetegnet ved en meget lav kildetvinduktion på 1,6 nH samt en tilsvarende termisk ydelse som DPAK. Pakken muliggør derfor hurtigere og dermed mere effektiv omskiftning af effekt-MOSFET'er og er nemmere at håndtere med hensyn til switching-adfærd og EMI.
Lille flademål (5x6 mm²)
Lav profil (1 mm)
Lav parasitisk induktans
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri støbemasse