Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 70.782,00

(ekskl. moms)

Kr. 88.476,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 23,594Kr. 70.782,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4906
Producentens varenummer:
IPL60R060CFD7AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

ThinPAK

Serie

IPD50R

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

219W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8.1mm

Bredde

8.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 er Infineons nyeste højspændings superjunction MOSFET-teknologi med integreret fast body diode, der fuldender CoolMOS™ 7 serien. CoolMOS™ CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.

Klassens bedste hårde sammenkommutationsrobusthed

Højeste pålidelighed for resonante topologier

Højeste effektivitet med enestående brugervenlighed/ydeevne-afhandel

Muliggør løsninger med øget effekttæthed

Relaterede links