Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD50R

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 14.720,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.400,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,888Kr. 14.720,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4901
Producentens varenummer:
IPD60R180C7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD50R

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

180mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.

Muliggør øget skiftefrekvens uden tab af effektivitet

Måling, der viser nøgleparameter for let belastning og effektivitet ved fuld belastning

Fordobling af skiftefrekvensen vil være halvt så stor som de magnetiske komponenter

Mindre pakker til samme R DS (til)

Kan bruges i mange flere positioner til både hårde og bløde topologier

Relaterede links