Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD50R Nej IPD60R180C7ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 97,54

(ekskl. moms)

Kr. 121,925

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.495 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 19,508Kr. 97,54
25 - 45Kr. 17,16Kr. 85,80
50 - 120Kr. 15,992Kr. 79,96
125 - 245Kr. 14,826Kr. 74,13
250 +Kr. 13,852Kr. 69,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4902
Producentens varenummer:
IPD60R180C7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD50R

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

180mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Længde

6.73mm

Bredde

6.22 mm

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.

Muliggør øget skiftefrekvens uden tab af effektivitet

Måling, der viser nøgleparameter for let belastning og effektivitet ved fuld belastning

Fordobling af skiftefrekvensen vil være halvt så stor som de magnetiske komponenter

Mindre pakker til samme R DS (til)

Kan bruges i mange flere positioner til både hårde og bløde topologier

Relaterede links