Infineon N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD50R
- RS-varenummer:
- 222-4902
- Producentens varenummer:
- IPD60R180C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 111,90
(ekskl. moms)
Kr. 139,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.485 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 22,38 | Kr. 111,90 |
| 25 - 45 | Kr. 19,688 | Kr. 98,44 |
| 50 - 120 | Kr. 18,37 | Kr. 91,85 |
| 125 - 245 | Kr. 17,024 | Kr. 85,12 |
| 250 + | Kr. 15,902 | Kr. 79,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4902
- Producentens varenummer:
- IPD60R180C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD50R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD50R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.
Muliggør øget skiftefrekvens uden tab af effektivitet
Måling, der viser nøgleparameter for let belastning og effektivitet ved fuld belastning
Fordobling af skiftefrekvensen vil være halvt så stor som de magnetiske komponenter
Mindre pakker til samme R DS (til)
Kan bruges i mange flere positioner til både hårde og bløde topologier
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, IPD50R
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, IPD50R
- Infineon N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-252, IPD50R
- Infineon N-Kanal 29 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R
- Infineon N-Kanal 40 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon N-Kanal 14.7 A 600 V Forbedring TO-252, IPD