Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14.7 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.737,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.922,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,495Kr. 8.737,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2525
Producentens varenummer:
IPD60R400CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.7A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

400mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Bredde

6.22 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links