Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD Nej
- RS-varenummer:
- 217-2522
- Producentens varenummer:
- IPD60R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.632,50
(ekskl. moms)
Kr. 8.290,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,653 | Kr. 6.632,50 |
| 5000 + | Kr. 2,521 | Kr. 6.302,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2522
- Producentens varenummer:
- IPD60R360P7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
600 V P7 muliggør fremragende FOM R DS(ON) XE oss og R DS(ON) XQ G
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand R G
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V DPAK (TO-252) IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R360P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 600 V DPAK (TO-252) IPD60R600P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 14 3 ben, DPAK (TO-252) IPD60R400CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252) IPD60R1K5CEAUMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 600 V DPAK (TO-252) IPD60R600P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 950 V DPAK (TO-252) IPD95R750P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R180P7ATMA1
