Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14.7 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 217-2526
- Producentens varenummer:
- IPD60R400CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 217-2526
- Producentens varenummer:
- IPD60R400CEAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.
Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)
God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)
Optimeret integreret R g
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 14.7 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 143 A 40 V Forbedring TO-252, IPD