Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14.7 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD Nej IPD60R400CEAUMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 116,74

(ekskl. moms)

Kr. 145,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 5,837Kr. 116,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2526
Producentens varenummer:
IPD60R400CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14.7A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

400mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Bredde

6.22 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE er velegnet til hårde og bløde switching-anvendelser, og som moderne superjunction leverer den lav overledning og skiftetab, hvilket forbedrer effektiviteten og reducerer strømforbruget i sidste ende. 600 V, 650 V og 700 V CoolMOS™ CE kombinerer optimal R DS (ON) og pakken, der tilbyder velegnede til ladere med lavt strømforbrug til mobiltelefoner og tablets.

Smalle margener mellem typisk og maks. R DS (til)

Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (E oss)

God robusthed i husdioden og reduceret returladning (Q rr)

Optimeret integreret R g

Relaterede links