Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R
- RS-varenummer:
- 222-4907
- Producentens varenummer:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 100,91
(ekskl. moms)
Kr. 126,138
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 50,455 | Kr. 100,91 |
| 10 - 18 | Kr. 44,88 | Kr. 89,76 |
| 20 - 48 | Kr. 42,375 | Kr. 84,75 |
| 50 - 98 | Kr. 39,305 | Kr. 78,61 |
| 100 + | Kr. 36,315 | Kr. 72,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4907
- Producentens varenummer:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 219W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 219W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 er Infineons nyeste højspændings superjunction MOSFET-teknologi med integreret fast body diode, der fuldender CoolMOS™ 7 serien. CoolMOS™ CFD7 leveres med reduceret gate Charge (QG), forbedret deoff-adfærd og en reverse recovery-afgift (Qrr) på op til 69 % lavere end konkurrenterne samt den laveste reverse recovery-tid (trr) på markedet.
Klassens bedste hårde sammenkommutationsrobusthed
Højeste pålidelighed for resonante topologier
Højeste effektivitet med enestående brugervenlighed/ydeevne-afhandel
Muliggør løsninger med øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPD50R
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, IPD50R
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, IPD50R
- Infineon Type N-Kanal 3 A 600 V Forbedring ThinPAK 5x6
- Infineon Type N-Kanal 27 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL
- Infineon Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 17 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R