Infineon N-Kanal, MOSFET, 28 A 650 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- RS-varenummer:
- 222-4918
- Producentens varenummer:
- IPL65R070C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 61,19
(ekskl. moms)
Kr. 76,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 30,595 | Kr. 61,19 |
| 10 - 18 | Kr. 27,565 | Kr. 55,13 |
| 20 - 48 | Kr. 25,77 | Kr. 51,54 |
| 50 - 98 | Kr. 24,72 | Kr. 49,44 |
| 100 + | Kr. 24,42 | Kr. 48,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4918
- Producentens varenummer:
- IPL65R070C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 169W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 169W | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET-serien er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet.
Revolutionerende R DS(on)/pakke i bedste klasse
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (Eoss)
Sænk portens ladning QG
Pladsbesparende ved brug af mindre pakker eller reduktion af dele
12 års produktionserfaring inden for superjunction-teknologi
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 12 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 19 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 17 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 33 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon N-Kanal 30 A 650 V Forbedring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 14 A 650 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101