Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Forbedring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- RS-varenummer:
- 222-4920
- Producentens varenummer:
- IPL65R195C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 102,33
(ekskl. moms)
Kr. 127,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 20,466 | Kr. 102,33 |
| 25 - 45 | Kr. 19,448 | Kr. 97,24 |
| 50 - 120 | Kr. 17,488 | Kr. 87,44 |
| 125 - 245 | Kr. 15,768 | Kr. 78,84 |
| 250 + | Kr. 14,96 | Kr. 74,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4920
- Producentens varenummer:
- IPL65R195C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPL60R | |
| Emballagetype | ThinPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 195mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPL60R | ||
Emballagetype ThinPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 195mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET-serien er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solcellesystemer
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Forøgelse af effekttæthed
Enestående CoolMOS™-kvalitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 28 A 650 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 17 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 33 A 600 V Forbedring ThinPAK, IPL60R
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
