ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSMT
- RS-varenummer:
- 223-6205P
- Producentens varenummer:
- QH8JB5TCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 243,85
(ekskl. moms)
Kr. 304,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 4,877 |
| 100 - 240 | Kr. 3,688 |
| 250 - 990 | Kr. 3,605 |
| 1000 + | Kr. 2,917 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6205P
- Producentens varenummer:
- QH8JB5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TSMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.41Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 2.8mm | |
| Højde | 0.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TSMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.41Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 2.8mm | ||
Højde 0.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM lille signal MOSFET har TSMT8 hustype. Den bruges primært til skift.
Lav modstand ved tændt
Lille hus til overflademontering
Blyfri belægning, i overensstemmelse med RoHS
Halogenfri