Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 14.080,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.600,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 14,08Kr. 14.080,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
223-8512
Producentens varenummer:
IPB100N06S2L05ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-seriens N-kanal MOSFET i D2-PAK-hus. Den har fordele ved den højeste strømkapacitet, de laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet og robuste huse med overlegen kvalitet og pålidelighed.

Automotiv AEC Q101 kvalificeret

• MSL1 op til 260 °C peak reflow

• 175 °C driftstemperatur

• grønt hus

• Ultra lav RDS

• 100 % lavine-testet

Relaterede links