Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 62.3 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- RS-varenummer:
- 225-9924
- Producentens varenummer:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 225-9924
- Producentens varenummer:
- SIR122LDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 62.3 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- Vishay Type N-Kanal 299 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- Vishay Type N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 24.7 A 80 V, PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Kanal 137.5 A 80 V SO-8, N-Channel 80 V
- Vishay Type N-Kanal 293 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 278 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 315 A 40 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101