Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 437 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 225-9946
- Producentens varenummer:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 102,33
(ekskl. moms)
Kr. 127,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,233 | Kr. 102,33 |
| 100 - 240 | Kr. 9,918 | Kr. 99,18 |
| 250 - 490 | Kr. 9,41 | Kr. 94,10 |
| 500 - 990 | Kr. 9,006 | Kr. 90,06 |
| 1000 + | Kr. 8,49 | Kr. 84,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9946
- Producentens varenummer:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 437A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | N-Channel 30 V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 99nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 437A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie N-Channel 30 V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 99nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Tyndt 1,6 mm hus
Meget lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 437 A 30 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 315 A 40 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 278 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 293 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Enkelt PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 437 A 60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET