Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 293 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101 SQJ174EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 225-9953
- Producentens varenummer:
- SQJ174EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 12,207 | Kr. 122,07 |
| 100 - 240 | Kr. 10,988 | Kr. 109,88 |
| 250 - 490 | Kr. 10,375 | Kr. 103,75 |
| 500 - 990 | Kr. 7,936 | Kr. 79,36 |
| 1000 + | Kr. 6,837 | Kr. 68,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9953
- Producentens varenummer:
- SQJ174EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 293A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 293A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Tyndt 1,6 mm hus
Meget lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 293 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 278 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101 SQJA16EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101 SQJQ160E-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Enkelt PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101 SQJ164ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 278 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Enkelt PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101 SQJ180EP-T1_GE3