Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), P-Channel 30 V AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 225-9959
- Producentens varenummer:
- SQJQ131EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 155,73
(ekskl. moms)
Kr. 194,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.625 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 31,146 | Kr. 155,73 |
| 25 - 45 | Kr. 29,276 | Kr. 146,38 |
| 50 - 120 | Kr. 26,48 | Kr. 132,40 |
| 125 - 245 | Kr. 24,954 | Kr. 124,77 |
| 250 + | Kr. 23,398 | Kr. 116,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9959
- Producentens varenummer:
- SQJQ131EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | P-Channel 30 V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 487nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 600W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie P-Channel 30 V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 487nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 600W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Tyndt 1,6 mm hus
Meget lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 280 A 30 V PowerPAK (8x8L), P-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 226 A 40 V PowerPAK (8x8L), P-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 137 A 12 V PowerPAK (8x8L), P-Channel 12 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 437 A 30 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 315 A 40 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101