Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 3 Ben, TO-220, N-Channel 100 V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 141,45

(ekskl. moms)

Kr. 176,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 25 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 405 enhed(er) afsendes fra 27. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 28,29Kr. 141,45
50 - 120Kr. 25,476Kr. 127,38
125 - 245Kr. 24,056Kr. 120,28
250 - 495Kr. 22,634Kr. 113,17
500 +Kr. 20,944Kr. 104,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
225-9972
Producentens varenummer:
SUP70042E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-220

Serie

N-Channel 100 V

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

84nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.65mm

Længde

29.51mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

10.51 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.

TrenchFET effekt MOSFET

Maks. 175 °C samledstemperatur

Meget lavt Qgd reducerer effekttab ved gennemkørsel af V (plateau)

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Recently viewed