MPN

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Name: Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
Brand: Vishay
SKU: 228-2821P
Availability: InStock

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 251,30

(ekskl. moms)

Kr. 314,10

(inkl. moms)

På lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	18.7A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	10mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	46.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	7.4W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.75mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.7A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 10mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 7.4W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.75mm
	Bilindustristandarder Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.