Infineon N-Kanal, MOSFET, 400 A 80 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N011T AEC-Q101

Denne MOSFET er en koblingsenhed med høj strømstyrke, der er designet til krævende bil- og industrielle miljøer, og den tilbyder drift med N-kanals forstærkning i en kompakt hus til overflademontering. Den er beregnet til at styre store afløbsstrømme og modstå høje temperaturer, samtidig med at den giver lave ledningstab til strømkonverterings- og skifteanvendelser.

• 400 A kontinuerlig afløbsstrøm giver højstrømskiftekapacitet
• 1.1 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastningscyklusser
• 80 V drain-source-klassificering giver mulighed for systemkompatibilitet med højere spænding
• 375 W maksimal effekttab understøtter kraftig termisk belastning
• ±20 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drivspændinger
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C muliggør bred temperaturpålidelighed

• Velegnet til invertertrin i biler
• Ideel til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i køretøjer
• Anvendes sammen med trækkraftsmotorstyringer i elektriske køretøjer
• Kan bruges til omskiftning af industrielle motordrev
• Anvendes til styring og distribution af højeffektsbatterier

Den leveres i en HDSOP-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket letter kompakte kortlayouts og termisk styring.

Den egensidige diode udviser en fremadgående spænding på 1,2 V, der informerer om ledningstab under frie hjulintervaller.

Komponenten har 16 ben til understøttelse af gate-, drain- og source-routing til kortdesign med høj strømstyrke.

Enheden bruger en N-type kanal, der fungerer i forstærkning, velegnet til standard MOSFET gate-drive-arkitekturer.