Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 396 A 80 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IPTC
- RS-varenummer:
- 233-4373
- Producentens varenummer:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 95,23
(ekskl. moms)
Kr. 119,038
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.548 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 47,615 | Kr. 95,23 |
| 10 - 18 | Kr. 40,955 | Kr. 81,91 |
| 20 - 48 | Kr. 38,56 | Kr. 77,12 |
| 50 - 98 | Kr. 35,755 | Kr. 71,51 |
| 100 + | Kr. 32,875 | Kr. 65,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4373
- Producentens varenummer:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 396A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 175nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.3 mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 396A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 175nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.3 mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPTC012N08NM5 er en del af OptiMOS 5 power MOSFET i TOLT i DET TO-leadede TOP side-kølehus for overlegen termisk ydelse. Denne innovative pakke kombineret med de vigtigste funktioner i OptiMOS 5-teknologi giver klassens bedste produkter i 80 V samt høj mærkestrøm 300 A til design med høj effekttæthed. Med TOP side-køling opsætning er drænet eksponeret på overfladen af pakken, og 95 procent af varmeafledningen kan fremmes direkte til kølepladen, hvilket giver 20 procent bedre RTJA og 50 procent forbedret RTHJC sammenlignet med BETALINGSANLÆG. Med kølehuse i bunden som F.EKS. BOMPENGE eller D2PAK spredes varmen via printkortet til kølepladen, hvilket medfører store effekttab.
Negativ afstand
Lagring i kølesystemet
Øget systemeffektivitet giver længere batterilevetid
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 396 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 330 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 330 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC014N08NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 354 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 279 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 354 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC015N10NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 279 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC019N10NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 400 A 80 V Forbedring HDSOP, IAUS300N08S5N012T AEC-Q101