Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 279 A 100 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IPTC

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*

Kr. 29.340,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.684,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1800 +Kr. 16,30Kr. 29.340,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
233-4379
Producentens varenummer:
IPTC019N10NM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

279A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HDSOP

Serie

IPTC

Monteringstype

Overflade

Benantal

16

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

10.3 mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPTC019N10NM5 er en del af OptiMOS 5 power MOSFET i TOLT i DET TO-leadede TOP side-kølehus for overlegen termisk ydelse. Denne innovative pakke kombineret med de vigtigste funktioner i OptiMOS 5-teknologi giver klassens bedste produkter i 100 V samt høj mærkestrøm 300 A til design med høj effekttæthed. Med TOP side-køling opsætning er drænet eksponeret på overfladen af pakken, og 95 procent af varmeafledningen kan fremmes direkte til kølepladen, hvilket giver 20 procent bedre RTJA og 50 procent forbedret RTHJC sammenlignet med BETALINGSANLÆG. Med kølehuse i bunden som F.EKS. BOMPENGE eller D2PAK spredes varmen via printkortet til kølepladen, hvilket medfører store effekttab.

Negativ afstand

Lagring i kølesystemet

Øget systemeffektivitet giver længere batterilevetid

Relaterede links