Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 82 A 650 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT65 Nej IMLT65R026M2HXTMA1
- RS-varenummer:
- 351-947
- Producentens varenummer:
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 116,57
(ekskl. moms)
Kr. 145,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 116,57 |
| 10 - 99 | Kr. 104,94 |
| 100 + | Kr. 96,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-947
- Producentens varenummer:
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Udgangseffekt | 365W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IMLT65 | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bredde | 10.3 mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Udgangseffekt 365W | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IMLT65 | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bredde 10.3 mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Den diskrete Infineon CoolSiC MOSFET Generation 2 (G2) i TOLT udnytter G2's bedste switching-ydelse og giver samtidig alle fordelene ved topside-køling. Som supplement til Q-DPAK-pakken er det nu muligt at implementere en total diskret topside-køleløsning og opnå bedre termisk ydeevne, reduktion og forenkling af systemomkostningerne og en billigere samling.
Muliggør besparelser på styklister
Højeste pålidelighed
Muliggør topeffektivitet og effekttæthed
Forenkler montering og afkøling
Klar til væskekøling
Tillader design uden blæser eller kølelegeme
Lavere omstrejfende induktanser
Bedre styring af porten
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IMLT65 Nej IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R050M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R015M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65 Nej IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 96 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R060M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65 Nej IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R040M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 107 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R020M2HXTMA1
