Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 650 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R040M2HXTMA1
- RS-varenummer:
- 349-050
- Producentens varenummer:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 78,20
(ekskl. moms)
Kr. 97,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 78,20 |
| 10 - 99 | Kr. 70,31 |
| 100 - 499 | Kr. 64,85 |
| 500 - 999 | Kr. 60,14 |
| 1000 + | Kr. 54,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-050
- Producentens varenummer:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 268W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 268W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og fremragende brugervenlighed. Denne MOSFET er designet til at opfylde kravene i moderne strømsystemer og giver mulighed for omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs. Det er den ideelle løsning til at imødekomme de stadigt voksende behov i elsystemer og på markeder, og den tilbyder både høj ydeevne og energieffektivitet til en lang række anvendelser.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R050M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R015M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 96 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R060M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 107 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC Nej IMLT65R020M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-10-1, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-10-1, OptiMOS Nej IPDD60R050G7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 82 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IMLT65 Nej IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65 Nej IGLT65R055D2ATMA1