Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 111 A 400 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-910
- Producentens varenummer:
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 89,24
(ekskl. moms)
Kr. 111,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 89,24 |
| 10 - 99 | Kr. 69,86 |
| 100 - 499 | Kr. 58,27 |
| 500 - 999 | Kr. 51,91 |
| 1000 + | Kr. 48,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-910
- Producentens varenummer:
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 111A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 2.35mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 15.2mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 111A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 2.35mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 15.2mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning og har Benchmark gate tærskelspænding. Desuden er den udstyret med XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen.
100% lavine testet
Anbefalet gate-drivspænding
Kvalificeret til industrielle anvendelser
Anvendes til energilagring, UPS og batteridannelse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 144 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 74 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 68 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 50 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 43 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 96 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC