Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 74 A 650 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-921
- Producentens varenummer:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 29,57
(ekskl. moms)
Kr. 36,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 29,57 |
| 10 - 49 | Kr. 23,97 |
| 50 - 99 | Kr. 18,37 |
| 100 + | Kr. 14,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-921
- Producentens varenummer:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 74A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 2.35mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 2.35mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET leverer uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og stor brugervenlighed. Det muliggør omkostningseffektive, meget effektive og forenklede design til at opfylde det stadigt voksende system og markedets behov.
Meget lave skiftetab
Forbedrer systemets robusthed og pålidelighed
Giver stor brugervenlighed og integration
Reducerer systemernes størrelse, vægt og materialer
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 68 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 50 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 111 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 144 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 43 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 107 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC