Infineon N-Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- RS-varenummer:
- 351-889
- Producentens varenummer:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 72,11
(ekskl. moms)
Kr. 90,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 72,11 |
| 10 - 99 | Kr. 64,93 |
| 100 + | Kr. 59,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-889
- Producentens varenummer:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IGLT65 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.042Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 154W | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16 | ||
Serie IGLT65 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.042Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 154W | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon IGLT65 seriens MOSFET, 650 V drain source-spænding, 47 A kontinuerlig drain-strøm - IGLT65R035D2ATMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til industriel strømkobling og styring. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til overflademonterede kredsløb, hvor der kræves robust drain-til-kilde-spændingshåndtering og moderat gate-opladning. Pakken understøtter montering med flere ben og integration i kompakte strømmoduler til krævende elektroniske systemer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-source mærkeværdi til højspændingsswitching-anvendelser
• 47 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør håndtering af forhøjet strøm
• 0.042 Ω RDS(on) for reducerede ledningstab
• 154 W effekttab til styring af termisk belastning
• 7,7 nC typisk portladning for effektiv portstyring
• PG-HDSOP-16-pakke til overflademontering til kompakte printkortlayouts
• 47 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør håndtering af forhøjet strøm
• 0.042 Ω RDS(on) for reducerede ledningstab
• 154 W effekttab til styring af termisk belastning
• 7,7 nC typisk portladning for effektiv portstyring
• PG-HDSOP-16-pakke til overflademontering til kompakte printkortlayouts
Anvendelser
• Velegnet til industrielle højspændingsinvertertrin
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver 47 A koblingsevne
• Ideel til frontender til motordrev i industrielt udstyr
• Kan bruges til snubber- og klemmekredsløb i højspændingssystemer
• Velegnet til kompakte strømmoduler, der kræver overflademonterede MOSFET'er
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver 47 A koblingsevne
• Ideel til frontender til motordrev i industrielt udstyr
• Kan bruges til snubber- og klemmekredsløb i højspændingssystemer
• Velegnet til kompakte strømmoduler, der kræver overflademonterede MOSFET'er
Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?
Den er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer og industrielle installationer med udvidede temperaturer.
Hvor mange ben har pakken med hensyn til printkortlayout?
Komponenten bruger en 16-benet konfiguration, der informerer om fodaftryk og termisk via placering for effektiv varmespredning.
Hvilke portdrevspændingsbegrænsninger skal overholdes?
Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 10 V, så gate-driverkredsløb skal begrænse drevamplituden i overensstemmelse hermed.
Opfylder enheden industristandarden for testbarhed til industrielle anvendelser?
Den er fremstillet i overensstemmelse med JEDEC-kriterier for industriel brug, hvilket er i overensstemmelse med almindelige kvalifikations- og pålidelighedsforventninger for denne sektor.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N-Kanal 67 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 82 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IMLT65
- Infineon N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IMLT65
- Infineon N-Kanal 96 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
