Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 396 A 80 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IPTC Nej
- RS-varenummer:
- 233-4372
- Producentens varenummer:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*
Kr. 49.440,60
(ekskl. moms)
Kr. 61.801,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | Kr. 27,467 | Kr. 49.440,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4372
- Producentens varenummer:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 396A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | IPTC | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 175nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.35mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 396A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie IPTC | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 175nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.35mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPTC012N08NM5 er en del af OptiMOS 5 power MOSFET i TOLT i DET TO-leadede TOP side-kølehus for overlegen termisk ydelse. Denne innovative pakke kombineret med de vigtigste funktioner i OptiMOS 5-teknologi giver klassens bedste produkter i 80 V samt høj mærkestrøm 300 A til design med høj effekttæthed. Med TOP side-køling opsætning er drænet eksponeret på overfladen af pakken, og 95 procent af varmeafledningen kan fremmes direkte til kølepladen, hvilket giver 20 procent bedre RTJA og 50 procent forbedret RTHJC sammenlignet med BETALINGSANLÆG. Med kølehuse i bunden som F.EKS. BOMPENGE eller D2PAK spredes varmen via printkortet til kølepladen, hvilket medfører store effekttab.
Negativ afstand
Lagring i kølesystemet
Øget systemeffektivitet giver længere batterilevetid
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 396 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC012N08NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 330 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 330 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC014N08NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 354 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 279 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej
- Infineon Type N-Kanal 354 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC015N10NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 279 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC Nej IPTC019N10NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 400 A 80 V Forbedring HDSOP, IAUS300N08S5N012T AEC-Q101