Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 279 A 100 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IPTC
- RS-varenummer:
- 233-4380
- Producentens varenummer:
- IPTC019N10NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 57,60
(ekskl. moms)
Kr. 72,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.540 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,80 | Kr. 57,60 |
| 20 - 48 | Kr. 25,62 | Kr. 51,24 |
| 50 - 98 | Kr. 23,935 | Kr. 47,87 |
| 100 - 198 | Kr. 22,18 | Kr. 44,36 |
| 200 + | Kr. 20,72 | Kr. 41,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4380
- Producentens varenummer:
- IPTC019N10NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 279A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 128nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.35mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 279A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 128nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.35mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPTC019N10NM5 er en del af OptiMOS 5 power MOSFET i TOLT i DET TO-leadede TOP side-kølehus for overlegen termisk ydelse. Denne innovative pakke kombineret med de vigtigste funktioner i OptiMOS 5-teknologi giver klassens bedste produkter i 100 V samt høj mærkestrøm 300 A til design med høj effekttæthed. Med TOP side-køling opsætning er drænet eksponeret på overfladen af pakken, og 95 procent af varmeafledningen kan fremmes direkte til kølepladen, hvilket giver 20 procent bedre RTJA og 50 procent forbedret RTHJC sammenlignet med BETALINGSANLÆG. Med kølehuse i bunden som F.EKS. BOMPENGE eller D2PAK spredes varmen via printkortet til kølepladen, hvilket medfører store effekttab.
Negativ afstand
Lagring i kølesystemet
Øget systemeffektivitet giver længere batterilevetid
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 279 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC
- Infineon Type N-Kanal 396 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC
- Infineon Type N-Kanal 330 A 80 V Forbedring HDSOP, IPTC
- Infineon Type N-Kanal 354 A 100 V Forbedring HDSOP, IPTC
- Infineon N-kanal-Kanal 68 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 50 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 111 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 144 A 400 V Forbedring PG-HDSOP-16, CoolSiC