Infineon N-Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101

RS-varenummer:: 228-6530
Producentens varenummer:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Forbedring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*

Kr. 33.346,80

(ekskl. moms)

Kr. 41.684,40

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 10. maj 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1800 +	Kr. 18,526	Kr. 33.346,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 228-6530
Producentens varenummer:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	350A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	HDSOP
	Serie	IAUS300N10S5N015T
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	16
	Drain source modstand maks. Rds	1.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	375W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	+175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype HDSOP
	Serie IAUS300N10S5N015T
	Monteringstype Overflade
	Benantal 16
	Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 375W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. +175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon IAUS300N10S5N015T seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 350 A kontinuerlig drain-strøm - IAUS300N10S5N015TATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-switching-transistor, der er designet til krævende anvendelser inden for biler og strømforsyning, og som giver kontrolleret ledning i N-kanalforbedringstilstand over et bredt temperaturområde. Den leveres i et 16-benet overflademonteret HDSOP-pakke, der er velegnet til kompakte kredsløb og overholder kriterierne for belastning i biler til brug i køretøjselektronik.

Egenskaber og fordele:

• 100 V mærkeværdi for afløb, der muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 350 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 1.5 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 375 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• ±20 V gate-tolerance giver mulighed for robuste drev-spændingsmargener
• -55 °C til +175 °C driftsområde til ekstreme miljøer

Anvendelser

• Velegnet til trækkraftomformertrin i biler
• Ideel til stærkstrømsmotorstyringsmoduler
• Anvendes sammen med batteristyring og strømfordeling
• Kan bruges til DC/DC-omformere i køretøjer
• Velegnet til elektriske drivakselhjælpskredsløb

Hvilke hensyn til pakken påvirker printkortlayout?

HDSOP-pakken til overflademontering kræver termiske kobberforstærkninger og flere printplader for at håndtere varme fra høj effekttab.

Hvordan håndterer enheden transient gate-udgange?

Gate-tolerancen på ±20 V definerer den maksimalt tilladte gate-to-source-spænding for beskyttelse mod transient overspænding.

Hvilket termisk miljø understøttes under kontinuerlig drift?

Kontinuerlig drift er specificeret over et temperaturområde fra -55 °C til +175 °C for at imødekomme både kolde starter og høje temperaturer under kappen.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding diodens ledningstab?

En fremadrettet spænding på 1,3 V for den iboende diode bestemmer ledningsfaldet, når husdioden leder under hændelser med omvendt strøm.