Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1742
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5410TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 109,96
(ekskl. moms)
Kr. 137,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 21,992 | Kr. 109,96 |
| 25 - 45 | Kr. 19,358 | Kr. 96,79 |
| 50 - 120 | Kr. 18,252 | Kr. 91,26 |
| 125 - 245 | Kr. 16,934 | Kr. 84,67 |
| 250 + | Kr. 15,618 | Kr. 78,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1742
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5410TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | AUIRF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 205mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 66W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.73 mm | |
| Længde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie AUIRF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 205mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 66W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.73 mm | ||
Længde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon p-kanal MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Den er blyfri
Den overholder RoHS
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
