Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101 AUIRFR5410TRL
- RS-varenummer:
- 229-1742
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5410TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 96,15
(ekskl. moms)
Kr. 120,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 8.540 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 19,23 | Kr. 96,15 |
| 25 - 45 | Kr. 16,934 | Kr. 84,67 |
| 50 - 120 | Kr. 15,962 | Kr. 79,81 |
| 125 - 245 | Kr. 14,81 | Kr. 74,05 |
| 250 + | Kr. 13,674 | Kr. 68,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1742
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5410TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | AUIRF | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 205mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 66W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.22mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.73 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie AUIRF | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 205mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 66W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.22mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.73 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon p-kanal MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET Power er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Den er blyfri
Den overholder RoHS
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5410TRL
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5410TRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR6215TRL
- Infineon P-Kanal 13 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5410TRPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V HEXFET IRFR6215TRLPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF
- Infineon P-Kanal 18 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5505TRLPBF
