Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1819
- Producentens varenummer:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 123,42
(ekskl. moms)
Kr. 154,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 605 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 24,684 | Kr. 123,42 |
| 25 - 45 | Kr. 22,23 | Kr. 111,15 |
| 50 - 120 | Kr. 20,734 | Kr. 103,67 |
| 125 - 245 | Kr. 19,238 | Kr. 96,19 |
| 250 + | Kr. 17,758 | Kr. 88,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1819
- Producentens varenummer:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
IPB120P04P4L-03, -40 V, P-kanal, 3,1 mΩ maks., MOSFET til brug i biler, D2PAK, OptiMOSTM-P2
Infineon p-kanal logikniveau MOSFET har den højeste strømkapacitet og 100 procent lavine-testet. Den har det laveste skifte- og ledningseffekttab for den højeste termiske effektivitet.
Oversigt over funktioner
•P-kanal - logisk niveau - forbedret tilstand
•AEC-kvalificeret
•MSL1 op til 260 °C spids reflow
•175 °C driftstemperatur
•Grønt hus (i overensstemmelse med RoHS)
•100 % lavine-testet
Fordele
•Ingen ladepumpe er nødvendig til høj side drev.
•Enkelt interface-drevkredsløb
•Verdens laveste RDSon ved 40 V
•Højeste strømkapacitet
•Laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet
•Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed
•Standardhuse TO-252, TO-263, TO-220, TO-262
Potentielle anvendelser
•MOSFET'er med høj side til motorbroer (halvbroer, H-broer, 3-fasemotorer)
•Brokonfiguration kan realiseres med 40 V P-kanal som enhed på høj side uden behov for ladepumpe
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 17 A 800 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 120 V Forbedring iPB AEC-Q101