Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1819
- Producentens varenummer:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 131,95
(ekskl. moms)
Kr. 164,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 605 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 26,39 | Kr. 131,95 |
| 25 - 45 | Kr. 23,772 | Kr. 118,86 |
| 50 - 120 | Kr. 22,17 | Kr. 110,85 |
| 125 - 245 | Kr. 20,57 | Kr. 102,85 |
| 250 + | Kr. 18,97 | Kr. 94,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1819
- Producentens varenummer:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon iPB seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 120 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB120P04P4L03ATMA2
Denne p-kanal MOSFET er en overflademonteret effekttransistor, der er designet til højstrømskobling og termisk modstandsdygtighed i biler og industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til brug, hvor der kræves robust gate-tolerance og lavt ledningstab.
Egenskaber og fordele:
• 40 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching
• 120 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 3.1 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 136 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• Vgs-tolerance op til 16 V muliggør højere gate-drevmargener
• Temperaturområde fra -55 °C til 175 °C opretholder driften i ekstreme forhold
• 120 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 3.1 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 136 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• Vgs-tolerance op til 16 V muliggør højere gate-drevmargener
• Temperaturområde fra -55 °C til 175 °C opretholder driften i ekstreme forhold
Anvendelser
• Velegnet til højstrøms omvendte batteribeskyttelseskredsløb
• Ideel til strømfordelingsmoduler til biler
• Anvendes sammen med motorstyring på den lave side eller den høje side
• Kan bruges til synkron omskiftning af DC-DC-konverter
• Velegnet til strømstyringsfunktioner i elektriske køretøjer
• Ideel til strømfordelingsmoduler til biler
• Anvendes sammen med motorstyring på den lave side eller den høje side
• Kan bruges til synkron omskiftning af DC-DC-konverter
• Velegnet til strømstyringsfunktioner i elektriske køretøjer
Hvilken pakke bruger den til printkortmontering?
Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering, der er designet til montering på loddet kort.
Hvordan opfører den sig termisk under høj belastning?
Enheden kan sprede op til 136 W, når den er korrekt afkølet, hvilket giver mulighed for længere driftstid ved høj effekt med tilstrækkelig termisk styring.
Hvilke portgrænser skal overholdes under designet?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 16 V for at undgå overbelastning af porten.
Er den velegnet til krav til bilkvalitet?
Den opfylder AEC-Q101-bilstandarden for halvlederkvalifikation.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 120 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 17 A 800 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
