Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -120 A -40 V Forbedring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 26,48

(ekskl. moms)

Kr. 33,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.955 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 26,48
10 - 24Kr. 25,13
25 - 49Kr. 24,16
50 - 99Kr. 23,04
100 +Kr. 21,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3798
Producentens varenummer:
IPB120P04P404ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-120A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

iPB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

3.50mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

+175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.