Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1824
- Producentens varenummer:
- IPC100N04S5L1R9ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 14.145,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.680,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 2,829 | Kr. 14.145,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1824
- Producentens varenummer:
- IPC100N04S5L1R9ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | IPC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.25mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 5.58 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie IPC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.25mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 5.58 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal logikniveau MOSFET, der bruges til brug i biler. Det er 100 procent lavine testet og AEC Q101 kvalificeret.
Den overholder RoHS
Den har en driftstemperatur på 175 grader C.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R9ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 6 ISC010N04NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S52R8ATMA1
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC120N04S6N009ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S51R9ATMA1
- Infineon N-Kanal 50 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC50N04S55R8ATMA1
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC120N04S6L008ATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC70N04S54R6ATMA1
