Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 75 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 516,075

(ekskl. moms)

Kr. 645,075

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 12.210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
75 - 135Kr. 6,881
150 - 360Kr. 6,692
375 - 735Kr. 6,533
750 +Kr. 6,363

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-1837P
Producentens varenummer:
IPD90N04S4L04ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

71W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanals MOSFET med normal effekt til brug i biler. Den har de laveste skift- og ledningstab for at opnå den højeste termiske effektivitet. Det er robuste huse med overlegen kvalitet og pålidelighed.

Den overholder RoHS og er AEC-kvalificeret

Den har en driftstemperatur på 175 grader C.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.