onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 650 V N, 7 Ben, TO-263, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6444
- Producentens varenummer:
- NTBG045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 85,57
(ekskl. moms)
Kr. 106,96
(inkl. moms)
Tilføj 6 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 728 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 85,57 |
| 10 - 99 | Kr. 73,68 |
| 100 - 499 | Kr. 63,88 |
| 500 + | Kr. 56,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6444
- Producentens varenummer:
- NTBG045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 242W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 242W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 62 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 145 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 142 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 203 A 100 V Forbedring TO-263, SiC Power
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V D2PAK (TO-263) NTB082N65S3F
- onsemi N-Kanal 44 A 650 V D2PAK (TO-263) FCB070N65S3