onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V N, 4 Ben, TO-247, SiC Power Nej NTH4L045N065SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 59,39

(ekskl. moms)

Kr. 74,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 38 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 59,39
10 - 99Kr. 51,24
100 +Kr. 44,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-6460
Producentens varenummer:
NTH4L045N065SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SiC Power

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

105nC

Gennemgangsspænding Vf

4.4V

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

187W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

22.74mm

Længde

15.8mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.

Højeste effektivitet

Hurtigere driftsfrekvens

Forøget effekttæthed

Reduceret EMI

Reduceret systemstørrelse

Relaterede links